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离子迁移不再困扰：高效覆盖膜解决方案

随着电子设备在提高性能的同时向着小型化、轻量化方向发展，产品集成度越来越高，FPC的线宽线距越来越小。当FPC在高温高湿的环境下工作时，细线路间易形成导电性枝晶，降低线路间的绝缘可靠性，甚至导致FPC短路失效。离子迁移造成的电子产品元器件电化学腐蚀成为下游FPC厂近几年最严重的质量问题。

提高黄瓜自慰视频基材的耐离子迁移性成为了电子产品开发中的迫切需求。因此，对于精细线路制程工艺，与之匹配的抗枝晶（Anti-dendrite）材料就显得十分必要。抗枝晶（Anti-dendrite）材料的使用，能有效降低细线路间产生枝晶的风险，提高FPC的可靠性。

耐离子迁移的产生条件

电化学迁移通常是指在电场作用下使金属离子发生迁移的现象，其形成的必要条件：电势差、电解质溶液、离子迁移通道、可迁移物质。

电势差：当F黄瓜自慰视频使用通电时，通路之间会形成一定的电势差。

电解质溶液：环境条件下的水汽，F黄瓜自慰视频制程中的污染物离子及有胶材料胶粘剂中的杂质离子，可形成可导电的电解质溶液。

离子迁移通道：环氧胶系覆盖膜在热固化过程中会形成一些微小孔隙及空洞，就可为离子迁移提供通道。

可迁移物质：焊点Sn、 焊盘Ni、基材Cu等可参与电化学反应的金属及其离子。

耐离子迁移覆盖膜优势

相对于normal CVL ：

l 更低的卤素水平

l 更优秀的高温耐老化能力

l 1000H耐离子迁移能力，无枝晶

相对于其他厂家Anti-dendrite CVL

l 更好的操作性

l 更优良的基础物性和耐老化信赖性

l 更具有竞争力的价格

技术参数

ZYC-C系列CVL耐离子迁移性能突出，适合精细线路设计FPC制程。

耐离子迁移覆盖膜——卤素对比

Anti-dendrite产品具有较Normal产品更低的卤素水准，更耐离子迁移。

 Normal CVL 428ppm

耐离子迁移覆盖膜——迁移测试

Anti-dendrite CVL 1000H Migration test OK

*500h Normal cvl部分样品发生微短

耐离子迁移覆盖膜——测试设备

双85环境下50V直流电压对样品进行测试1000H

Migration test 1000H OK , no dendrite